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          技术参数

          刻蚀物 硅、氮化物刻蚀 二氧化硅刻蚀 金属/合金刻蚀
          晶片尺寸 3-6″ 3-6″ 6-8″
          工艺控制 单片工艺,闭环控制 单片工艺,闭环控制 单片工艺,闭环控制
          优势 支持客户定制 支持客户定制 支持客户定制
          福建31选7中奖奖金
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